比较器内部电路原理分析

  我们先来看下ST的LM339DT手册中给的内部电路图：我们将这个电路分成几个模块便于我们理解；

  1.我们知道二极管具有钳位功能，而三极管的BE就等于一个二极管，所以图中基极电压为0.7V（这里为了方便理解，我们统一用0.7V），即A点电压为0.7V，即集电极电压为0.7V；这里Q1三极管导通，Vce = 0.7V，我们大家都知道三极管饱和导通ce压降接近0.3V，所以这里满足放大条件；

  2.我们再结合右边电路一起看，一般我们为了能够更好的保证芯内部的稳定性和对称性，内部晶体管一般都在同一个晶圆上切割，保证晶体管功能尽可能一样；

  我们看Q1和Q2的基极电流由Q1的集电极提供，因为Q1和Q2的对称，故流进Q1和Q2的基极电流相等，则有Q2的Ic2等于Q1的Ic1，这里的R1和R2阻值是相等的，那么B点电压是多少？

  我们看如果R2Ic1，这里的Ic2意思是相比于左半电路，Q2集电极可以允许的最大电流变大了，Q2往放大状态走，即VB>

  0.7V；

  综上我们大家可以得出，只要我们控制上述两边集电极的Ic电流即可控制B点电压输出是0.7V以上还是0.7V以下;

  在芯片中，内部无法集成电阻，所以我们用三极管代替：这里我们用P三极管；这里的A,B点就是比较器输入，接的100uA电流源是限流用的；我们大家都知道比较器输入端阻抗大，那么这里满足么，我们按照三极管放大倍数百倍来看，即2端的基极电流为nA级别，为满足输入阻抗，它又分别加了一级；

  即：优化后电路：我们再加一级P管即可满足规定的要求，那么这里也对输入有了要求，我们的角度来看三极管需要导通，这里A,B点输入电压不能超过VCC-1.4V；

  同时手册中也给出了相应的指标：输入电压不能超过VCC+ - 1.5V；和我们理论推出相符合；

  接下来继续，我们通过比较A,B电压大小从而控制Ic电流，最终控制上述C点电位变化，比较器需要输出高低状态，所以我们应该C点后面接三极管，通过三极管来放大前端的小变化；

  我们再看下图中的二极管作用：我们在三极管选型时应该都注意过一个参数，就是BE反向耐压：我们看下手册：一般在5V左右，所以我们在三极管be两端并联一个二极管进行保护；

  uo与输入电压ui在平面直角坐标上的关系。 画传输特性的一般步骤是：先求阈值，再根据电压

  在输入电压由最低变到最高(正向过程)和输入电压由最高到最低(负向过程)两种

  或者三极管）工作在线性区。这就是LDO全名称的由来。 LDO的结构原理： 下面就解释下上图的原理：所有的LDO

  C2000系列芯片在数字电源和电机控制中存在广泛的应用，在这些应用中，过流过压保护是必不可少的。传统的方法是使用外部

  器 /

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  HTTPDNSLib-for-iOS HTTPDNSLib的iOS版本

  在Linux中运行QT项目报 error: GLES2/gl2.h: No such file or directory这个错误